摘要: 英飞凌技术股份公司基于超结技术创新和20多年的经验, 利用PFD7产品系列扩展了CoolMOS 产品系列,该产品系列结合了一流的性能和最先进的易用性。该器件适用于超高功率密度设计,例如充电器和适配器,以及低功率驱动器和特定照明应用。
英飞凌技术股份公司基于超结技术创新和20多年的经验, 利用PFD7产品系列扩展了CoolMOS 产品系列,该产品系列结合了一流的性能和最先进的易用性。该器件适用于超高功率密度设计,例如充电器和适配器,以及低功率驱动器和特定照明应用。
坚固性和可靠性的提高,以及效率的提高,开关损耗的最小化和热性能的改善,使得该产品系列成为当代工程设计的最终选择。CoolMOS PFD7系列支持小型和轻便移动产品的主要趋势以及主要家用电器中的节能技术,从而推动了可承受的超高功率密度的极限。该器件针对高效率进行了优化,尤其是在轻载条件下,仍然能够满足EMI要求。
这些开关提供同类最佳的品质因数R DS(on) x Q RR。集成的快速体二极管可实现出色的换向??耐用性。实施的齐纳二极管支持高达2 kV的静电放电(ESD)保护。英飞凌提供的R DS(on) 值范围从125mΩ至2000mΩ不等。广泛的封装产品组合使选择合适的零件进行设计微调变得容易,从而提高了客户的便利性。
CoolMOS PFD7系列现已上市。
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