英飞凌科技股份公司通过应对现代电源管理设计的挑战，着重于系统创新和组件级增强。Source Down是新的行业标准包装概念。在这种新封装中推出的第一波功率MOSFET是 3.3×3.3 mm PQFN 的OptiMOS  25V。该器件在MOSFET性能方面树立了新的行业基准，降低了导通电阻（R  DS（on）），并为市场提供了出色的热管理能力。该产品非常适合各种应用，例如驱动器，  SMPS  （包括  服务器，  电信和OR-ing）和电池管理。

新的封装概念将源极电势（而不是漏极电势）连接到散热垫。加上启用的新PCB布局可能性，这有助于实现更高的功率密度和性能。发布了两种不同的封装版本-采用PQFN 3.3×3.3 mm封装的Source-Down标准门和Source-Down中心门。Source-Down Standard-Gate占位面积基于当前的PQFN 3.3×3.3 mm引脚配置。电气连接的位置保持不变，从而简化了用新的Source-Down封装直接替换当今标准Drain-Down封装的过程。对于Center-Gate版本，栅极引脚移至中心，从而支持多个MOSFET的轻松并行配置。由于其漏源爬电距离较大，可以在单个PCB层上连接多个器件的栅极。另外，将栅极连接移动到中心会导致更宽的源极区域，从而改善设备的电连接。

与现有技术相比，这项技术创新可将R  DS（on）降低多达30％。与当前的PQFN封装相比，结到壳体之间的热阻（R  thJC）也得到了显着改善。减少的寄生虫，改善的PCB损耗以及出色的热性能，为任何当代工程设计都增加了重要价值。

OptiMOS Source-Down将于3月16日至18日在路易斯安那州新奥尔良举行的2020年应用功率电子会议暨展览会（APEC）的英飞凌1510展位上展出。

现已提供PQFN 3.3×3.3 mm封装的两个OptiMOS源极降压型25 V功率MOSFET。