Micro Commercial Components MCC分离栅技术MOSFET支持极低的R_DS（ON），可在较小的封装中实现更高的电流密度。这些MOSFET支持更高的BV_dss，更高的N掺杂和更低的 Q_gd，从而减少了电荷耦合。这些SGT MOSFET具有改进的品质因数（FOM），可降低开关损耗和传导损耗。典型的应用包括节省空间和高效率要求的应用。

MCC分离栅技术MOSFET特征

低R_DS（ON）  允许更高的电流密度

BV_DSS增加

漂移区中较高的N掺杂

Q_GD减小，从而降低了米勒电荷耦合

改进的FOM减少了开关和传导损耗

高效率和高质量

交货快

各种LV mosFET产品组合

MCC分离栅技术MOSFET技术指标

1.5Ω低R DS（ON）

30V至150V宽电压范围

MCC分离栅技术MOSFET应用领域

节省空间

高效要求的应用

MCC分离栅技术MOSFET功能结构图