安森美半导体NTTFSxD1N0xHL N沟道的PowerTrench MOSFET的使用高性能的屏蔽栅极MOSFET技术极低R DS（ON）。这些单通道MOSFET具有低开关噪声/ EMI和经过100％UIL测试的MSL1坚固封装设计。NTTFSxD1N0xHL MOSFET采用无铅，无卤素/无溴化阻燃剂且符合RoHS的WDFN8封装。典型应用包括DC-DC降压转换器，负载点，高效负载开关和低侧开关，ORing FET，DC-DC电源和MV同步降压转换器。

NTTFSxD1N0xHL MOSFET特征

高性能屏蔽栅极MOSFET技术可实现极低的R DS（on）

低传导损耗和开关损耗

MSL1坚固的包装设计

100％UIL测试

无铅，无卤素/无溴化阻燃剂且符合RoHS

NTTFSxD1N0xHL MOSFET技术指标

NTTFS2D1N04HL：

最大R DS（on）  =2.1mΩ@ V GS  = 10V，I D  = 23A

最大R DS（on）  =3.3mΩ@ V GS  = 4.5V，I D  = 18A

NTTFS3D7N06HL：

最大R DS（on）  =3.9mΩ@ V GS  = 10V，I D  = 233A

最大R DS（on）  =5.2mΩ@ V GS  = 4.5V，I D  = 18A

NTTFS5D9N08H：

最大R DS（on）  =5.9mΩ@ V GS  = 10V，I D  = 23A

最大R DS（on）  =9mΩ@ V GS  = 6V，I D  = 12A

NTTFSxD1N0xHL MOSFET应用领域

DC-DC降压转换器和DC-DC电源

或FET和负载点

高效负载开关和低侧开关

中压同步降压转换器