安森美半导体NTTFS008P03P8Z P沟道功率MOSFET具有-30V（V DSS），-96A（I D），50W和超低3.8mΩ -10V R DS（on）的特性  ，从而提高了系统效率。该MOSFET采用3.3mm x 3.3mm PQFN8封装的先进封装技术，可节省空间并具有出色的导热性。此外，PQFN8封装无铅，无卤素/无溴化阻燃剂，并符合RoHS要求。NTTFS008P03P8Z MOSFET通常适合诸如电源负载开关，电池管理笔记本电脑，平板电脑，智能手机，无人机，电源和无线充电等应用。

NTTFS008P03P8Z P沟道功率MOSFET特征

超低R DS（on）以提高系统效率

采用3.3mm x 3.3mm PQFN8封装的先进封装技术

节省空间并提高导热性

无卤素，无溴化阻燃剂且符合RoHS

提供无铅封装

NTTFS008P03P8Z P沟道功率MOSFET应用领域

电力负荷开关

保护（反向电流，过电压和反向负电压）

电池管理

笔记本电脑，平板电脑，智能手机和无人机

直流风扇，电源，USB PD适配器和无线充电