安森美半导体NTTFD4D0N04HL和NTTFD9D0N06HL N沟道MOSFET是的PowerTrench 功率夹在WQFN12包对称双沟道MOSFET。这些器件在双封装中包括两个专用的N沟道MOSFET。开关节点内部连接，可轻松放置和路由同步降压转换器。控制MOSFET（Q2）和同步MOSFET（Q1）旨在提供最佳功率效率。NTTFD4D0N04HL和NTTFD9D0N06HL N沟道MOSFET具有较低的R DS（on），较低的Q G和电容，以及较低的导通/驱动器损耗。典型应用包括DC-DC转换器，通用负载点，单相电动机驱动器，计算和通信

NTTFD4D0N04HL和NTTFD9D0N06HL MOSFET特征

先进的WQFN12封装技术，占地面积小（3mm x 3mm）

配置为半桥以减少封装寄生效应

低R DS（on）

最小化传导损耗

低Qg和电容

减少驾驶员损失

NTTFD4D0N04HL和NTTFD9D0N06HL MOSFET技术指标

NTTFD4D0N04HL：

Q1：N通道：

V GS  = 10V，I D  = 10A时，最大R DS（on） =4.5mΩ

在V GS  = 4.5V，I D  = 8A时，最大R DS（on） =7mΩ

Q2：N通道：

V GS  = 10V，I D  = 10A时，最大R DS（on） =4.5mΩ

在V GS  = 4.5V，I D  = 8A时，最大R DS（on） =7mΩ

NTTFD9D0N06HL：

Q1：N通道：

V GS  = 10V，I D  = 10A时，最大R DS（on） =9mΩ

在V GS  = 4.5V，I D  = 8A时，最大R DS（on） =13mΩ

Q2：N通道：

V GS  = 10V，I D  = 10A时，最大R DS（on） =9mΩ

在V GS  = 4.5V，I D  = 8A时，最大R DS（on） =13mΩ

NTTFD4D0N04HL和NTTFD9D0N06HL MOSFET应用领域

电脑运算

通讯技术

通用负载点

DC-DC转换器

单相电动机驱动器

DC-DC模块

NTTFD4D0N04HL和NTTFD9D0N06HL MOSFET引脚图