安森美半导体NTNS0K8N021Z和NTNS2K1P021Z小信号MOSFET设计为采用薄型XDFN3超小封装，用于空间受限的应用。这些MOSFET具有1.5V的栅极驱动电压（p沟道为-1.5V），±8V的栅极-源极电压（V GS）和20V漏极-源极电压（V DSS）。NTNS0K8N021Z和NTNS2K1P021Z小信号MOSFET无铅，无卤素/ BFR，并且符合RoHS要求。这些设备非常适合空间受限的设计，例如小信号负载开关，高速接口，电平转换，智能手机，平板电脑以及其他无线和便携式终端产品。

NTNS0K8N021Z和NTNS2K1P021Z小信号MOSFET特征

薄型超小型XDFN3封装（0.62mm x 0.42mm x 0.4mm），适用于空间受限的应用

单P沟道/ N沟道MOSFET

-1.5V栅极驱动

无铅，无卤素/无溴化阻燃剂，并且符合RoHS要求

NTNS0K8N021Z和NTNS2K1P021Z小信号MOSFET应用领域

小信号负载开关

高速接口

其他无线和便携式终端产品

电平移位

智能手机

平板电脑

NTNS0K8N021Z和NTNS2K1P021Z小信号MOSFET引脚功能图