安森美半导体NVTFS6H860NL单N沟道功率MOSFET的介绍

安森美半导体NVTFS6H860NL单N沟道功率MOSFET采用紧凑高效的设计，具有较高的热性能。该MOSFET具有低漏-源电阻（R DS（on）），可最大程度地降低传导损耗，而低电容可将驱动器损耗降至最低。NVTFS6H860NL MOSFET符合AEC-Q101标准，并具有PPAP功能。该MOSFET采用小型WDFN8封装，尺寸为3.3mm x 3.3mm。典型应用包括反向电池保护，电源开关（高端驱动器，低端驱动器和H桥）以及开关电源。

NVTFS6H860NL单N沟道功率MOSFET特征

低R DS（on），以最小化传导损耗：

10V时最大20mΩ

在4.5V（最大）时为26mΩ

80V漏源电压（V （BR）DSS）

30A最大漏极电流（I D）

低电容可最大程度地减少驱动器损耗

符合AEC-Q101和PPAP标准

尺寸为3.3mm x 3.3mm的小型WDFN8（8FL）封装

NVTFS6H860NL单N沟道功率MOSFET应用领域

螺线管驱动器的反向电池保护

用于电机控制的电源开关（高侧驱动器，低侧驱动器和H桥）

开关电源

NVTFS6H860NL单N沟道功率MOSFET效果图