安森美半导体NVMFS015N10MCL单N沟道功率MOSFET的介绍

安森美半导体NVMFS015N10MCL单N沟道功率MOSFET专为紧凑高效的设计而设计，包括高热性能。该MOSFET具有低漏-源电阻（R DS（on）），以最大程度地减小传导损耗，而栅极电荷（Q G）/电容低，以最大程度减少驱动器损耗。NVMFS015N10MCL MOSFET符合AEC-Q101标准，并具有PPAP功能。该MOSFET采用5mm x 6mm DFN5扁平扁平小封装。典型应用包括螺线管驱动器中的电池反向保护，电动机控制中的电源开关（高侧驱动器，低侧驱动器和H桥）以及开关电源。

NVMFS015N10MCL单N沟道功率MOSFET特征

低R DS（on）以最小化传导损耗：

10V时为12.2mΩ

4.5V时为18.3mΩ

100V漏源电阻（V （BR）DSS）

47.1A最大漏极电流（I D）

符合AEC-Q101和PPAP标准

占地面积小（5mm x 6mm），设计紧凑

NVMFS015N10MCL单N沟道功率MOSFET技术指标

电磁铁驱动器的反向电池保护

用于电机控制的电源开关（高侧驱动器，低侧驱动器和H桥）

开关电源

NVMFS015N10MCL单N沟道功率MOSFET效果图