安森美半导体NVBLS4D0N15MC汽车功率MOSFET的介绍

安森美半导体NVBLS4D0N15MC汽车用功率MOSFET具有低R DS（on），以最大程度地减小传导损耗，而低Q g /电容，以最大程度减少驱动器损耗。该MOSFET降低了开关损耗/电磁干扰（EMI）。

NVBLS4D0N15MC MOSFET采用TO-Leadless（TOLL）封装，可实现高效的设计和较高的热性能。该MOSFET通过AEC-Q101认证，可用于汽车应用PPAP。NVBLS4D0N15MC MOSFET适用于电动工具，电池供电的真空吸尘器，无人机（UAV）/无人机，物料搬运，电池管理系统（BMS）/存储和家庭自动化。

NVBLS4D0N15MC汽车功率MOSFET特征

低R DS（on）以最小化传导损耗

低Q G和电容，可最大程度减少驱动器损耗

降低开关噪声/ EMI

符合AEC-Q101和PPAP标准

150V漏源电压（V （BR）DSS）

10V时最大4.4mΩ的漏极到源极电阻（R DS（on））

187A最大漏极电流（I D）

NVBLS4D0N15MC汽车功率MOSFET应用领域

电动工具

电池吸尘器

无人机/无人机

物料搬运

BMS /存储

家庭自动化

开关电源

电源开关（高端驱动器，低端驱动器和H桥）

NVBLS4D0N15MC汽车功率MOSFET效果图