安森美半导体NTPF360N80S3Z N沟道SUPERFET III MOSFET的介绍

安森美半导体NTPF360N80S3Z N沟道的SuperFET III是一款高性能功率MOSFET的提议800V击穿电压。该SUPERFET针对反激式转换器的主开关进行了优化，可在不牺牲EMI性能的情况下降低开关损耗和降低外壳温度。NTPF360N80S3Z SUPERFET带有内部齐纳二极管，可大大改善静电放电（ESD）能力。典型的应用包括适配器/充电器，LED照明，AUX电源，音频和工业电源。

NTPF360N80S3Z MOSFET特征

针对反激式转换器的主开关进行了优化

降低开关损耗和外壳温度

内部齐纳二极管可提高ESD能力

800V漏源电压（V BR（DSS））

360mΩ最大漏源电阻（R DS（on））

典型的25.3nC超低栅极电荷（Q g）

13A最大漏极电流（I D）

2.72μJ @ 400V，输出电容中的低存储能量（E oss）

经过100％雪崩测试

NTPF360N80S3Z MOSFET应用领域

适配器/充电器

LED照明

辅助电源

音讯

工业动力

NTPF360N80S3Z MOSFET效果图