安森美半导体NTMFS015N15MC屏蔽栅极PowerTrench MOSFET

安森美半导体NTMFS015N15MC屏蔽栅的PowerTrench MOSFET是N沟道MOSFET，最小化的通态电阻和维持与最佳的类软体二极管优越的开关性能。与其他MOSFET相比，该MOSFET的Q rr更低。

NTMFS015N15MC MOSFET降低了开关噪声/电磁干扰（EMI）。该MOSFET具有低R DS（on）的特性以最小化传导损耗，而具有低Q G和电容的特性以最小化驱动器损耗。NTMFS015N15MC MOSFET采用小型PQFN8封装，尺寸为5mm x 6mm，可实现紧凑型设计。典型应用包括同步整流（SR），AC-DC和DC-DC电源，AC-DC适配器（USB PD）SR和负载开关。

NTMFS015N15MC MOSFET特征

屏蔽栅极MOSFET技术

低R DS（on），以最小化传导损耗：

14mΩ@ 10V R DS（on） （最大）

150V漏源电压（V DSS）

61A最大漏极电流（I D）

低Q G和电容，可最大程度减少驱动器损耗

经过100％非钳位电感开关（UIL）测试

NTMFS015N15MC MOSFET应用领域

同步整流（SR）

AC-DC和DC-DC电源

AC-DC适配器（USB PD）SR

负荷开关

NTMFS015N15MC MOSFET效果图