安森美半导体NVBG160N120SC1 160mΩ SiC MOSFET的介绍

与硅相比，安森美半导体的NVBG160N120SC1 160mΩ SiC MOSFET具有出色的开关性能和更高的可靠性。该MOSFET具有1200V的漏源电压（V DSS）和19.5A的最大漏电流（I D）。NVBG160N120SC1 MOSFET具有低导通电阻和紧凑的芯片尺寸，可确保低电容和栅极电荷。

该MOSFET具有高效率，更快的工作频率，增加的功率密度，减少的电磁干扰（EMI）和减小的系统尺寸。NVBG160N120SC1 MOSFET根据AEC-Q101标准，适用于汽车应用，例如汽车车载充电器和用于EV / HEV的汽车DC / DC转换器。

NVBG160N120SC1 160mΩ SiC MOSFET特征

与硅相比，具有出众的开关性能和更高的可靠性

160mΩ典型的漏-源电阻（R DS（on））

1200V漏源电阻（V （BR）DSS）

19.5A最大漏极电流（I D）

33.8nC超低栅极电荷（Q G（tot））

50.7pF低有效输出电容（典型值）（C OSS）

符合AEC-Q101的汽车应用要求

经过100％雪崩测试

NVBG160N120SC1 160mΩ SiC MOSFET应用领域

汽车车载充电器

电动汽车（EV）/混合电动汽车（HEV）的汽车DC / DC转换器

逆变器

NVBG160N120SC1 160mΩ SiC MOSFET效果图