东芝TW070J120B 1200V SiC N沟道MOSFET的介绍

东芝TW070J120B 1200V SiC N沟道MOSFET具有低（70mΩ）R DSon采用TO-3P（N）封装。这种新结构通过将SBD平行于电池内部的PN二极管放置来防止PN二极管通电。电流流过嵌入式SBD，因为其导通状态电压低于PN二极管，从而抑制了导通电阻的变化和MOSFET可靠性的降低。

具有嵌入式SBD的MOSFET已在实际使用中，但仅在3.3kV左右的高压下可用。通常，嵌入式SBD导致导通电阻上升到只有高压产品可以承受的水平。东芝TW070J120B调整了各种参数，发现MOSFET中SBD面积的比例是抑制导通电阻增加的关键。通过优化SBD比率，东芝创建了高度可靠的1.2kV级SiC MOSFET。

TW070J120B MOSFET特征

第二代芯片设计（内置SiC肖特基势垒二极管）

V DSF = -1.35V（典型值）低二极管正向电压

V DSS = 1200V高压

R DS（ON） =70mΩ（典型值）低漏源导通电阻

V th = 4.2至5.8V（V DS = 10V，I D = 20mA）由于高阈值电压而较不易发生故障

增强模式

TW070J120B MOSFET应用领域

逆变器

能源储备

电信电源

电动汽车充电

太阳能的

工业动力

TW070J120B MOSFET测试电路和时序图