达尔科技DMTH61M8LPS N沟道增强模式MOSFET的介绍、特性、应用及输出特性

来源：HQBUY 发布时间：2020-11-12

摘要： 达尔科技DMTH61M8LPS N沟道增强模式MOSFET旨在最大程度地降低导通电阻（R DS（ON）），同时保持出色的开关性能。其特点包括高转换效率，低输入电容和快速开关速度。该N沟道MOSFET的工作温度范围为-55°C至175°C。

达尔科技DMTH61M8LPS N沟道增强模式MOSFET旨在最大程度地降低导通电阻（R DS（ON）），同时保持出色的开关性能。其特点包括高转换效率，低输入电容和快速开关速度。该N沟道MOSFET的工作温度范围为-55°C至175°C。

达尔科技DMTH61M8LPS N沟道增强模式MOSFET

DMTH61M8LPS MOSFET是引擎管理系统，车身控制电子设备和DC-DC转换器等高效电源管理应用的理想选择。

额定温度为175°C，非常适合高温环境

在生产中进行100％非钳位电感开关（UIS）测试，以确保更可靠，更可靠的最终应用

转换效率高

低R DS（ON）使状态损失最小化

低输入电容

切换速度快

发动机管理系统

车身控制电子

DC-DC转换器

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