威世半导体SiSS52DN N沟道功率MOSFET的介绍

威世半导体Vishay / Siliconix SiSS52DN N沟道TrenchFET Gen V功率MOSFET能够以非常低的R DS（on）实现更高的功率密度。该功率MOSFET提供30V V DS 和非常低的RDS x Q g品质因数（FOM）。

SiSS52DN N沟道MOSFET通常具有162A I D和19.9nC Q g的特性。 这个100％R克和松开电感开关（UIS）测试MOSFET采用的是热增强紧凑的PowerPAK 1212-8S包具有单个配置。典型应用包括DC / DC转换器，负载点（POL），同步整流，电源和负载开关以及电池管理。

SiSS52DN MOSFET特征

TrenchFET第二代V的功率MOSFET

R DS x Q g 品质因数（FOM）非常低

以非常低的R DS（on）实现更高的功率密度

热增强紧凑的PowerPAK 1212-8S包具有单个结构

经过100％R g和UIS测试

SiSS52DN MOSFET应用领域

DC / DC转换器

负载点（POL）

同步整流

电池管理

电源和负载开关

SiSS52DN MOSFET电气特性