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威世半导体Vishay / Siliconix SiJA22DP N沟道25V MOSFET采用PowerPAK SO-8L封装,提供25V DS漏极-源极电压,并采用单一配置设计。
威世半导体Vishay / Vitramon VJ…32含铅表面处理MLCC是表面安装的多层陶瓷片式电容器,带有含铅结束处理。Vishay / Vitramon VJ…32 MLCC具有至少4%的铅锡/铅终止涂层。
威世半导体Vishay / Siliconix SQJQ汽车MOSFET是N沟道TrenchFET功率MOSFET。这些经过AEC-Q101认证的MOSFET已通过100%Rg耐压测试和未钳位电感开关(UIS)。
威世半导体Vishay / Siliconix SUM40014M N通道40V MOSFET提供40V DS漏极-源极电压,单一配置和D 2 PAK封装。
威世半导体Vishay VBUS05M2-HT5 ESD保护二极管是双向且对称(BiSy)两线ESD保护器件,采用超紧凑的DFN1110-3A封装,非常适合便携式电子产品。
威世半导体Vishay SiC450,SiC451和SiC453microBuck DC-DC转换器是兼容PMBus 1.3的非隔离式DC-DC降压稳压器,带有集成MOSFET。
威世的DG2788A 0.37欧姆的低阻和高338 MHz带宽在紧凑型miniQFN16包可以节省空间,提高信号的完整性;威世半导体Vishay推出了双DPDT / quad SPDT模拟开关,在2.6 mm x 1.8 mm x 0.55 mm miniQFN16封装中具有2.7 V低阻0.37欧姆。
威世半导体Vishay / Siliconix SQJB汽车MOSFET是双N沟道TrenchFET功率MOSFET。这些经过AEC-Q101认证的MOSFET已通过100%Rg耐压测试和未钳位电感开关(UIS)
威世半导体Vishay / BC Components NTCASCWE3C70001螺纹NTC热敏电阻由NTC陶瓷材料制成,焊接到电缆导体上并灌封在黄铜螺钉的头部。
具有I2C接口的威世半导体VCNL3036X01高分辨率数字接近传感器在一个小封装中集成了一个多路复用器和一个驱动器,可将多达3个外部IRED集成到驱动器中。VCNL3036X01传感器利用CMOS工艺将光电二极管,放大器和模数转换电路整合到单个芯片中。
威世半导体Vishay的SiC43x buck调节器家族是专门为消除外部组件而设计的。SiC43x系列使buck转换器的外部组件最小化。
威世半导体Vishay / Siliconix Si6423ADQ P通道20V MOSFET采用TSSOP-8封装,提供-20V的漏源电压和20mJ单脉冲雪崩能量等级。Si6423ADQ MOSFET具有单一配置设计,无卤素,符合RoHS要求,并经过100%R g和UIS测试。
威世半导体Vishay / Siliconix SiZ340BDT双N沟道30V MOSFET提供30V DS漏极-源极电压,150A脉冲漏极电流以及-55°C至+ 150°C的温度范围。
威世半导体Vishay TMR薄膜抽头微波电阻器提供100Ω至430Ω的电阻范围,<0.2pF的低杂散电容和0206外壳。这些电阻器芯片具有精密的薄膜设备,制造技术,并已通过MIL-STD-883的100%电气测试和检查。
Vishay X系列1200V第5代超快整流器是8A至60A FREDPt?整流器,是同类产品中最佳的导通和开关损耗折衷方案。这些整流器旨在提高高频转换器以及硬开关和软开关或谐振设计的效率。
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