威世半导体Si6423ADQ P通道20V MOSFET的介绍、特性及技术指标

来源：HQBUY 发布时间：2020-12-16

摘要： 威世半导体Vishay / Siliconix Si6423ADQ P通道20V MOSFET采用TSSOP-8封装，提供-20V的漏源电压和20mJ单脉冲雪崩能量等级。Si6423ADQ MOSFET具有单一配置设计，无卤素，符合RoHS要求，并经过100％R g和UIS测试。

威世半导体Vishay / Siliconix Si6423ADQ P通道20V MOSFET采用TSSOP-8封装，提供-20V的漏源电压和20mJ单脉冲雪崩能量等级。Si6423ADQ MOSFET具有单一配置设计，无卤素，符合RoHS要求，并经过100％R g和UIS测试。

威世半导体Si6423ADQ P通道20V MOSFET

威世Si6423ADQ P沟道20V MOSFET是负载开关，电池开关和电源管理的理想选择。

TrenchFET功率MOSFET

经过100％R g和UIS测试

符合RoHS

无卤素

单一配置

TSSOP-8封装

应用领域

负载开关

电池开关

能源管理

-20V DS漏源电压

±8V栅源电压

-70A脉冲漏极电流

-20mJ单脉冲雪崩能量

5875pF输入电容

540pF输出电容

最大栅极电阻7.2Ω

-55°C至+ 150°C的工作温度范围

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