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摘要： 威世半导体Vishay / Siliconix Si4056ADY N沟道MOSFET采用SO-8封装，提供100V的漏极-源极电压额定值和40A的脉冲漏极电流。Si4056ADY MOSFET具有非常低的R DS x Qg品质因数（FOM），并且已针对最低的R DS x Q oss FOM进行了调整。
威世半导体Vishay / Siliconix Si4056ADY N沟道MOSFET采用SO-8封装，提供100V的漏极-源极电压额定值和40A的脉冲漏极电流。Si4056ADY MOSFET具有非常低的R DS x Qg品质因数（FOM），并且已针对最低的R DS x Q oss FOM进行了调整。
威世Si4056ADY N沟道MOSFET非常适合于初级侧开关，LED驱动器，负载开关和同步整流。
TrenchFET Gen IV功率MOSFET
极低的R DS x Qg品质因数（FOM）
调整为最低的R DS x Q oss FOM
逻辑电平门驱动
经过100％R g和UIS测试
同步整流
一次侧开关
DC / DC转换器
电机驱动开关
LED驱动器
负荷开关
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