威世半导体SiJA22DP N沟道25V MOSFET的介绍

威世半导体Vishay / Siliconix SiJA22DP N沟道25V MOSFET采用PowerPAK SO-8L封装，提供25V DS漏极-源极电压，并采用单一配置设计。SiJA22DP MOSFET具有TrenchFET Gen IV功率，已针对最低R DS至Q oss FOM进行了调谐，并经过100％R g和UIS测试。

威世SiJA22DP N沟道25V MOSFET是同步整流，高功率密度DC / DC，电池和负载开关以及热插拔开关的理想选择。

SiJA22DP N沟道25V MOSFET特征

TrenchFET Gen IV电源

调整为最低R DS至Q oss FOM

经过100％R g和UIS测试

Q gd / Q gs比率<1可优化开关特性

SiJA22DP N沟道25V MOSFET应用领域

同步整流

高功率密度DC / DC

热插拔开关和OR-ing FET

电池和负载开关

SiJA22DP N沟道25V MOSFET技术指标

25V DS漏源电压

160A脉冲漏极电流

125mJ单脉冲雪崩能量

6500pF输入电容

2250pF输出电容

2Ω栅极电阻

PowerPAK SO-8L封装

单一配置

-55°C至+ 150°C的工作温度范围

48W功耗

SiJA22DP N沟道25V MOSFET外型尺寸