威世半导体SQ4946CEY自动双N沟道MOSFET的介绍、特性、及技术指标

来源：HQBUY 发布时间：2020-12-15

摘要： 威视Vishay / Siliconix SQ4946CEY自动双N沟道MOSFET提供60V DS漏极-源极电压，±100nA栅极-源极泄漏额定值和865pF最大。输入电容。

威视Vishay / Siliconix SQ4946CEY自动双N沟道MOSFET提供60V DS漏极-源极电压，±100nA栅极-源极泄漏额定值和865pF最大。输入电容。

威世半导体SQ4946CEY自动双N沟道MOSFET

SQ4946CEY MOSFET通过AEC-Q101认证，具有TrenchFET?功率，并经过100％R g和UIS测试。Vishay SQ4946CEY自动双N沟道MOSFET非常适合汽车应用，符合RoHS要求且不含卤素。

TrenchFET电源

经过100％R g和UIS测试

符合AEC-Q101

符合RoHS

无卤素

双重配置

60V DS漏源电压

16.2mA单脉冲雪崩能量

4W最大功耗

3.6A连续源电流

±100nA栅源电压

20A现场漏极电流

865pF最大输入电容

-55°C至+ 175°C的工作温度范围

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