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摘要： 威世半导体Vishay / Siliconix SiZ340BDT双N沟道30V MOSFET提供30V DS漏极-源极电压，150A脉冲漏极电流以及-55°C至+ 150°C的温度范围。
威世半导体Vishay / Siliconix SiZ340BDT双N沟道30V MOSFET提供30V DS漏极-源极电压，150A脉冲漏极电流以及-55°C至+ 150°C的温度范围。SiZ340BDT MOSFET具有双重配置设计，TrenchFET Gen IV功率，无卤素且符合RoHS要求。
Vishay / Siliconix SiZ340BDT双N沟道30V MOSFET是CPU内核电源，同步降压转换器，电信DC / DC和计算机应用的理想选择。
TrenchFET Gen IV功率MOSFET
经过100％R g和UIS测试
PowerPAIR集成式半桥MOSFET功率级
优化的Q gd / Q gs比可改善开关特性
符合RoHS
无卤素
CPU核心功率
计算机/服务器外围设备
POL
同步降压转换器
电信DC / DC
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