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威世半导体VBUS05M2-HT5 ESD保护二极管的介绍、特性、应用及原理图

来源:HQBUY 发布时间:2020-12-08

摘要: 威世半导体Vishay VBUS05M2-HT5 ESD保护二极管是双向且对称(BiSy)两线ESD保护器件,采用超紧凑的DFN1110-3A封装,非常适合便携式电子产品。

威世半导体VBUS05M2-HT5 ESD保护二极管的介绍


威世半导体Vishay VBUS05M2-HT5 ESD保护二极管是双向且对称(BiSy)两线ESD保护器件,采用超紧凑的DFN1110-3A封装,非常适合便携式电子产品。VBUS05M2-HT5具有较高的ESD抗扰性和极低的电容,因此非常适合USB2.0,USB3.0或HDMI等高频应用。


威世半导体VBUS05M2-HT5 ESD保护二极管


该器件在5.5V的工作电压下具有小于0.05μA的最大漏电流,在1mA时的反向击穿电压为8.5V(典型值),在3.4A时的最大钳位电压为18V。


Vishay VBUS05M2-HT5 ESD保护二极管在±20kV(空气和接触放电)下,根据IEC 61000-4-2为数据线提供瞬态保护。使用VBUS05M2-HT5,可以保护两条高速数据线免受瞬态电压信号的影响。连接到数据线(引脚1和引脚2)和接地(引脚3)的负瞬态电压将被钳位在5.5V工作范围之上。


该器件的VBUS05M2-HT5HG3-08变体符合AEC-Q101的标准,可用于汽车应用。



VBUS05M2-HT5 ESD保护二极管特征


2线ESD保护

低至0.45pF(典型值)的超低负载电容

5.5V时的最大漏电流低至<0.05μA

1mA时的8.5V(典型值)击穿电压

3.6A时最大钳位电压为18V

1Ω(典型)动态电阻

符合IEC 61000-4-2的ESD抗扰性

±20kV接触放电

±20kV空气放电

符合AEC-Q101的ESD能力

人体模型:H3B级:> 8kV

e3:引脚侧壁镀锡(Sn)

AOI能力

符合AEC-Q101(仅限VBUS05M2-HT5HG3-08)

紧凑的DFN1110-3A封装

符合RoHS,无卤素,无铅



VBUS05M2-HT5 ESD保护二极管应用领域


包括HDMI,DisplayPort,eSATA,USB,1394 / FireWire和Thunderbolt在内的高速数据线的ESD保护



VBUS05M2-HT5 ESD保护二极管原理图


VBUS05M2-HT5 ESD保护二极管原理图



VBUS05M2-HT5 ESD保护二极管包装尺寸


VBUS05M2-HT5 ESD保护二极管包装尺寸


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