东芝TKxxA65Z和TKxxV65Z MOSFET的介绍、特性及技术指标

来源：HQBUY 发布时间：2020-12-07

摘要： 东芝TKxxA65Z和TKxxV65Z MOSFET设计用于在开关电源中工作。这些N沟道MOSFET具有较低电容的高速开关特性。TKxxA65Z和TKxxV65Z MOSFET是硅MOSFET，其典型的低漏源导通电阻为0.092Ω至0.175Ω。

东芝TKxxA65Z和TKxxV65Z MOSFET设计用于在开关电源中工作。这些N沟道MOSFET具有较低电容的高速开关特性。TKxxA65Z和TKxxV65Z MOSFET是硅MOSFET，其典型的低漏源导通电阻为0.092Ω至0.175Ω。这些器件的漏极-源极电压为10V。

东芝TKxxA65Z和TKxxV65Z MOSFET

低漏源导通电阻

较低电容的高速开关特性

增强模式：V th = 3V至4V（V DS = 10V）

±1μA最大栅极泄漏电流

输入电容（C ISS）为2250pF，1635pF和1370pF

3V至4V最大栅极阈值电压

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