东芝SSM6L56FE硅P/N沟道MOSFET的介绍、特性、包装及电路图

来源：HQBUY 发布时间：2020-11-27

摘要： 东芝SSM6L56FE硅P / N沟道MOSFET专为高速开关而设计。SSM6L56FE MOSFET具有1.5V驱动和低漏源导通电阻。

东芝SSM6L56FE硅P / N沟道MOSFET专为高速开关而设计。SSM6L56FE MOSFET具有1.5V驱动和低漏源导通电阻。

东芝SSM6L56FE硅P/N沟道MOSFET

1.5V驱动

低漏源导通电阻

Q1 N频道：

R DS（ON） =235mΩ（最大值）（@V GS = 4.5V，I D = 800mA）

R DS（ON） =300mΩ（最大值）（@V GS = 2.5V，I D = 600mA）

R DS（ON） =480mΩ（最大值）（@ V GS = 1.8 V，I D = 200mA）

R DS（ON） =840mΩ（最大值）（@V GS = 1.5V，I D = 50mA）

Q2 P通道：

R DS（ON） =390mΩ（最大值）（@V GS = -4.5V，I D = -800mA）

R DS（ON） =480mΩ（最大值）（@V GS = -2.5V ，I D = -500mA）

R DS（ON） =660mΩ（最大值）（@V GS = -1.8V，I D = -200mA）

R DS（ON） =900mΩ（最大值）（@V GS = -1.5V，I D = -100mA）

RDS（ON）=4000mΩ（最大值）（@V GS = -1.2V，I D = -10mA）

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