东芝SSM6K51xNU硅N沟道MOSFET的介绍、特性、应用及引脚功能

来源：HQBUY 发布时间：2020-11-30

摘要： 东芝SSM6K51xNU硅N沟道MOSFET是东芝在各种电路配置和封装中广泛的MOSFET产品组合的一部分。这些器件具有高速，高性能，低损耗，低导通电阻，小封装等优点

东芝SSM6K51xNU硅N沟道MOSFET是东芝在各种电路配置和封装中广泛的MOSFET产品组合的一部分。这些器件具有高速，高性能，低损耗，低导通电阻，小封装等优点。SSM6K51xNU是电源管理开关的理想选择，并具有高速开关功能。它们具有1.5V驱动器，具有低漏源导通电阻。

1.5V驱动

低漏源导通电阻

R DS（ON） =33mΩ（最大值）（@V GS = 4.5V）

R DS（ON） =45mΩ（最大值）（@V GS = 2.5V）

R DS（ON） =74mΩ（最大值）（@V GS = 1.8V）

R DS（ON） =108mΩ（最大值）（@V GS = 1.5V）

电源管理开关

高速开关

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