威世半导体SiRA90ADP N通道30V MOSFET的介绍

威世半导体Vishay / Siliconix SiRA90ADP N沟道30V MOSFET提供30V DS漏极-源极电压，350A脉冲漏极电流额定值，并采用PowerPAK SO-8封装。SiRA90ADP MOSFET具有TrenchFET Gen IV功率和领先的R DS（ON），可最大程度地降低传导损耗。

威世SiRA90ADP N沟道30V MOSFET是电池管理，DC / DC转换器和热插拔开关的理想选择。

SiRA90ADP MOSFET特征

TrenchFET Gen IV电源

低R DS x Q g品质因数（FOM）

领导力R DS（ON）最小化传导损耗

经过100％R g和UIS测试

符合RoHS

无卤素

SiRA90ADP MOSFET应用领域

电池管理

DC / DC转换器

热插拔开关

SiRA90ADP MOSFET技术指标

30V DS漏源电压

350A脉冲漏极电流

单一配置

PowerPAK SO-8封装

180mJ单脉冲雪崩能量

1.2Ω最大栅极电阻

1.1V体二极管电压

-55°C至+ 150°C的工作温度范围

SiRA90ADP MOSFET外型规格尺寸