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美浦森主题演讲回顾/第三代半导体快充产业峰会

来源:美浦森 发布时间:2021-08-04

摘要: 2021年7月30日,充电头网第三代半导体产业技术创新战略联盟电源技术委员会,在深圳市南山区科兴科技园举办全球第三代半导体快充产业峰会。深圳美浦森参加了展会并发表演讲。

2021年7月30日,充电头网第三代半导体产业技术创新战略联盟电源技术委员会,在深圳市南山区科兴科技园举办全球第三代半导体快充产业峰会。深圳美浦森参加了展会并发表演讲。

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美浦森(Maplesemi)半导体从2014年开始进行650V/1200V级SiC Diode商业化技术,2015年全面实现商业化。是继CREE/ROHM之后为数不多可进行量产商业化SiC 产品的公司之一。公司设有上海研发中心和深圳实验室,主要研发人员在产品研发和生产制程方面都具有丰富的行业经验,平均行业经验在15年以上。主要负责产品结构设计、器件仿真、版图设计、工艺制程开发等。目前公司全线采用6英寸工艺平台进行SiC器件的生产,并贴合市场应用,推出包括DFN5*6、DFN8*8等特殊封装外型,大批量用在金牌PC电源、PD充电、光伏逆变等领域。


目前,美浦森的SiC产品在PD品牌厂商,如MOMAX、BASE、Ugreen等已在批量生产。

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Ugrenn 100W 1A3C PD充电器

展会现场各大半导体行业人士与美浦森探讨交流

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美浦森的市场兼FAE王旋先生发表主题演讲,介绍了SiC二极管在PD充电上的应用。

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随着数码消费类产品在我们的日常生活中越来越普遍,我们对能源和充电的要求越来越高。快速充电已应用的越来越广泛,大功率充电成为不可避免的趋势。随着充电器的功率越来越高,体积越来越小,功率密度将越来越大,第三代半导体如SiC、GaN 器件的运用也越来越广泛


由于碳化硅具有不可比拟的优良性能,碳化硅是宽禁带半导体材料的一种,主要特点是高热导率、高饱和以及电子漂移速率和高击场强等,因此被应用于各种半导体材料当中,碳化硅器件主要包括功率二极管和功率开关管。功率二极管包括结势垒肖特基(JBS)二极管、PiN二极管和超结二极管;功率开关管主要包括金属氧化物半导体场效应开关管(MOSFET)、结型场效应开关管(JFET)、双极型开关管(BJT)、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)、门极可关断晶闸管(GTO)和发射极可关断晶闸管(ETO)等。

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SiC二极管的优势及特点


1、电能利用效率高:Si器件逆变器转换效率96%,SiC器件逆变器转换效率99%。2、小型化:开关速度高 ,工作温度高,功率密度大。3、成本低:通过提高工作频率来缩小外围电感器,降低外围电路成本, 总成本低。4、使用电压高:击穿电压高,产品电压最高可达6KV以上。


美浦森半导体秉承诚信、高效、创新、持续的核心价值价值理念,始终坚持不断创新、不断突破,始终保持产品第一、技术第一、服务第一的行业领先地位,全心全意做好产品的开发与用户的极限体验。


美浦森现有SiC产品

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