Infineon Technologies IAUZ4xN06S5 60V Automotive optimmos -5 mosfet具有低漏源通态电阻，低栅电荷和低栅电容，最大限度地降低导通和开关损耗。这些n通道，增强模式mosfet还具有极低的22.7nC到23.0nC反向恢复电荷。

英飞凌技术IAUZ4xN06S5 OptiMOS-5 mosfet是AEC-Q101合格的汽车应用。5.0毫欧 IAUZ40N06S5采用3mm x 3mm S3O8 (PG-TSDSON-8)封装。10.2毫欧 IAUC41N06S5提供5mm x 6mm单SS08 (PG-TDSON-8)包。

特性

• 汽车应用的最优mos功率MOSFET

• n通道，增强模式，逻辑级设备

• 超出AEC-Q101的延期资格

• 加强电气测试

• 稳健设计

• MSL1可达260°C峰值回流

• 最高工作温度175℃

• 绿色产品(符合RoHS标准)

• 100%雪崩测试

应用程序

• 通用汽车的应用

• 直流-直流

• LED照明

• 无线充电

• ADAS

• 骑兵(24 v)应用程序

规范

• 60V漏源极击穿电压(V(BR)DSS)

• 漏源极通态电阻(R(DS(on))

• IAUZ40N06S5: 5.0欧姆

• IAUC41N06S5: 10.2欧姆

• 持续漏极电流(I(D))

• IAUZ40N06S5: 90

• IAUC41N06S5: 47

• 栅源电压(V(GS))

• IAUZ40N06S5:±16 v

• IAUC41N06S5:±20 v

• 功耗

• IAUZ40N06S5: 71 w

• w IAUC41N06S5: 42

• 反向回收费用(Q(rr))

• IAUZ40N06S5: 23数控

• IAUC41N06S5: 22.7数控

• 包选项

• IAUZ40N06S5: 3mm x 3mm S3O8 (pg - tsson -8)

• IAUC41N06S5: 5mm x 6mm Single SS08 (PG-TDSON-8)

数据表

• IAUZ40N06S5L050数据表

• IAUC41N06S5N102数据表

IAUZ40N06S5L050计划大纲

IAUC41N06S5N102计划大纲