onsemi NXH006P120MNF2PTG半桥SiC模块具有两个6毫欧 1200V SiC MOSFET开关和一个F2封装的热敏电阻。SiC MOSFET开关使用M1技术，并由18V到20V的栅极驱动器驱动。NXH006P120MNF2模块通过平面技术和低模具热阻提高了可靠性。典型应用包括DC-AC转换、DC-DC转换、储能系统、UPS、AC-DC转换、电动汽车充电站、太阳能逆变器等。

特性

• 稳健的M1平面SiC MOSFET技术

• 从平面技术和较低的模具热阻提高可靠性

• 18V到20V栅极驱动器

• 20V工作，降低损耗

• 18V，与其他模块兼容

规范

• -40°C至175°C工作结温度范围

• 1200 v漏源极电压

• 最大功耗为950W

• 304A连续漏极电流

应用程序

• 直粱转换

• 直流-直流转换

• 交直流转换

• 联合包裹

• 能量存储系统

• 电动汽车充电站

• 太阳能逆变器