onsemi NTMC083NP10M5L双N和P通道功率MOSFET采用低栅电荷(Q(G))和电容设计，最大限度地减少驱动器损耗。这种MOSFET具有低漏极-源通电阻(R(DS(on))，以最小化导通损失。该设备设计紧凑，标准占地面积为5mm × 6mm，没有ESD保护。NTMC083NP10M5L功率MOSFET理想地用于电动工具，电池驱动真空，无人机/无人机，材料处理，电机驱动和家庭自动化。

特性

• 低R(DS(on))使导通损失最小化

• 低Q(G)和电容减少驱动器损耗

• 不防静电保护

• 占地面积小5mm x 6mm，设计紧凑

• 不含铅和卤素/BFR

• 通过无铅认证

应用程序

• 电动工具

• 电池供电的真空吸尘器

• 无人机(UAV) /无人机

• 材料处理

• 马达驱动

• 家庭自动化