摘要: 1200V漏源极电压,25毫欧至160毫欧电阻范围,14A至70A电流。
IXYS LSIC1MO120G0x n通道SiC mosfet提供1200V漏源极电压额定值,25毫欧到160毫欧电阻范围,和14A到70A电流。这些mosfet优化用于高频,高效的应用,并具有超低导通电阻,低栅电阻,在所有温度下正常关闭操作。IXYS LSIC1MO120G0x n通道SiC mosfet是太阳能逆变器、开关模式电源、电机驱动器、电池充电器等的理想选择。
优化的高频,高效的应用
极低的门极电荷和输出电容
低门阻,高频开关
在所有温度下正常关闭操作
极低的导通电阻
优化包与单独的驱动源引脚
无铅,无卤
通过无铅认证
高频应用
太阳能逆变器
开关型电源
不间断电源(UPS)
马达驱动器
高压DC/DC转换器
电池充电器
感应加热
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