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IXYS LSIC1MO120G0x n通道SiC mosfet器件的介绍、特性、及应用

来源:HQBUY 发布时间:2022-05-13

摘要: 1200V漏源极电压,25毫欧至160毫欧电阻范围,14A至70A电流。


    IXYS LSIC1MO120G0x n通道SiC mosfet提供1200V漏源极电压额定值,25毫欧到160毫欧电阻范围,和14A到70A电流。这些mosfet优化用于高频,高效的应用,并具有超低导通电阻,低栅电阻,在所有温度下正常关闭操作。IXYS LSIC1MO120G0x n通道SiC mosfet是太阳能逆变器、开关模式电源、电机驱动器、电池充电器等的理想选择。


    特性

    • 优化的高频,高效的应用

    • 极低的门极电荷和输出电容

    • 低门阻,高频开关

    • 在所有温度下正常关闭操作

    • 极低的导通电阻

    • 优化包与单独的驱动源引脚

    • 无铅,无卤

    • 通过无铅认证


    应用程序

    • 高频应用

    • 太阳能逆变器

    • 开关型电源

    • 不间断电源(UPS)

    • 马达驱动器

    • 高压DC/DC转换器

    • 电池充电器

    • 感应加热

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