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摘要： 采用先进的动力槽工艺生产，并结合屏蔽栅技术。
onsemi Trench6 n通道MV mosfet是采用先进的功率沟槽工艺生产的30V、40V和60V mosfet，采用屏蔽栅技术。该工艺经过了优化，以最小化通态电阻，同时保持优异的开关性能，最好的类软体二极管。
onsemi Trench6 n通道MV mosfet提供了广泛的小占地面积封装选项，以实现设计的灵活性。
AEC-Q101合格和PPAP可选
小包装的紧凑设计
超低R(DS(ON))，降低导通损耗
优化门极电荷，降低开关损耗
高功率密度
良好的导热性
提高效率
无卤素，无铅，符合RoHS
马达驱动
直流-直流转换器
电力负荷开关
电池管理
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