IXYS IXT 200V X4超结功率mosfet是n通道增强模式器件，具有10.6毫欧或13毫欧 R(DS(on))和200V最大漏源极电压。IXT mosfet具有TO-263或TO-220标准封装风格，具有雪崩级高功率密度。IXYS IXT 200V X4超结功率mosfet非常适合用于开关模式和谐振模式电源。

特性

• 国际标准包装

• 低R(DS(ON))和Q(G)

• 雪崩额定

• 低包电感

• 高功率密度

• 容易安装

• 节省空间

应用程序

• 开关模式和谐振模式电源

• 直流-直流转换器

• PFC电路

• 交流和直流电机驱动

• 机器人技术和伺服控制

规范

• 200 v漏源极电压

• 86A和94A连续漏极电流选项

• 10.6毫欧或13毫欧 R(DS(on))选项

• -55°C ~ +175°C的温度范围

示意图