onsemi NCD57090和NCV57090 IGBT/MOSFET栅极驱动器是用于IGBT和MOSFET的大电流、单通道栅极驱动器，具有5kVrms内部电隔离。NCD57090和NCV57090在大功率应用中提供了高的系统效率和可靠性。这些器件接受免费输入，并根据引脚配置，提供诸如有源米勒钳、负电源和独立的高、低(south和OUTL)驱动器输出等选项，以方便系统设计。NCD57090和NCV57090适应广泛的输入偏置电压和信号水平从3.3V到20.0V。

onsemi NCD57090和NCV57090 IGBT/MOSFET门驱动器提供了紧凑的SOIC-8封装。NCV57090是AEC-Q100合格和PPAP能力，可用于汽车应用。

特性

• AEC-Q100合格并支持PPAP(仅NCV57090)

• 高+6.5A/-6.5A峰值输出电流

• 低箝位压降消除了负极电源的需要，以防止杂散栅极接通(版本a, D, F)

• 精确匹配的短传播延迟

• IGBT/MOSFET在短路时箝位

• IGBT/MOSFET栅极有源下拉

• 严格的UVLO阈值偏置灵活性

• 宽偏置电压范围，包括负VEE2(版本B)

• 3V、5.0V、15.0V逻辑输入

• 5 kvrms电隔离

• 高瞬态免疫力

• 高电磁免疫力

• 最大结温150°C

• 工作温度范围-40°C至+125°C

• SOIC-8包

• 不含铅、不含卤素、不含bfr，符合RoHS标准

应用程序

• 汽车应用(仅NCV57090)

• 电机控制

• 不间断电源(UPS)

• 工业电源

• 太阳能逆变器

引脚图

方框图

简化的应用电路

计划大纲