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摘要： 基于MDmesh的K6技术提供了超低门极电荷和优异的RDS(on) x区域。
STMicroelectronics STP80N240K6 MDmesh K6功率MOSFET基于终极MDmesh K6技术，建立在STM 20年的超级结技术经验之上。高压n通道功率MOSFET提供了极低的栅电荷和极好的R(DS(on)) x面积。ST STP80N240K6 800V功率MOSFET具有一流的每面积导通电阻和栅极电荷，适用于需要卓越功率密度和高效率的应用。
全球最好的R(DS(on)) x区域
全球最佳FOM(优秀人物)
超低闸极电荷
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