英飞凌CoolSiC 汽车1200V沟槽型mosfet具有更高的功率密度、更高的频率和更高的效率。aiw120r035m1h提供52A I(D)和35毫欧 R(DS(on))， aiw120r060m1h具有36A I(D)和60毫欧 R(DS(on))，以及aiw120r080m1 33A I(D)和80毫欧 R(DS(on))。英飞凌汽车1200V SiC沟槽mosfet是专为车载充电器/PFC和升压/DC-DC转换器应用而设计的。

特性

• 革命性的半导体材料——碳化硅

• 极低开关损耗

• 无阈值状态特性

• IGBT-compatible驱动电压

• 0V关断栅电压

• 基准门阀电压，V(GS(th))=4.5V

• 完全可控的dv / dt

• 整流稳健性体二极管，准备同步整流

• 温度无关关断开关损耗

应用程序

• 车载充电器/ PFC

• 升压/直流-直流转换器

• 辅助逆变器

引脚图及概述

英飞凌电源和传感选择指南