onsemi Trench8 mosfet具有低的最大导通电阻(R(DS(ON))，超低栅电荷(Q(g))，和低(Q(g)) x R(DS(ON))，一个关键的优点(FOM)用于功率转换应用的mosfet。基于T6技术，Trench8 mosfet具有优化的开关性能，与Trench6系列相比，其Q(g)和Q(oss)降低了35%至40%。

onsemi沟槽8 mosfet可用于多种封装类型的设计灵活性。AEC-Q101合格和PPAP能力选项可用于汽车应用。这些器件中有许多是可侧面润湿封装，可实现自动光学检测(AOI)。

特性

• AEC-Q101合格和PPAP可选

• 优化设计，使导通和开关损耗最小化

• 优化封装，最大限度地减少寄生电感

• 优化材料，提高热性能

• 漏源击穿电压25V ~ 80V (V(DS))

• 11.6A至351A漏极电流范围(I(D))

• 0.7毫欧至55毫欧漏源至源通电阻范围(R(DS(ON)))

• ±20V栅源电压(V(GS))

• 1.1V ~ 4.0V门源阈值电压范围(V(GS(TH))

• 4.7nC ~ 166nC栅电荷范围(Q(g))

• 860mW ~ 311W功耗范围(P(d))

• 方案选择:

• DFN-5、DFN-8 DFNW-8、H-PSOF-8 PQFN-8,所以8,SO-8FL, SO-FL-8L, WDFN-6, WDFN-8 WQFN-12

• 可湿的侧面选项

• 工作和接点温度范围

• 工业:-55°C至+125°C

• 汽车:-55°C至+150°C

• 无铅，符合RoHS

应用程序

• 汽车(仅限AEC-Q101合格选项)

• EV/HEV充电器(仅限符合AEC-Q101标准的选项)

• 高性能的直流-直流转换器

• rails系统电压

• 网通和电信

• 服务器

• 荷载点(POL)

• 马达驱动器