WeEn Semiconductors WG50N65DHWQ IGBT是一种高速650V/50A IGBT，在TO247封装中具有反平行二极管。这种IGBT提供高速、低开关损耗和平滑的开关行为，避免电压超调和降低系统EMI。WG50N65DHWQ IGBT采用沟栅场阻技术，并提供低热阻。这种IGBT采用无卤素封装，具有无铅铅完成，并符合RoHS标准。典型应用包括功率因数校正，焊接变流器，太阳能逆变器。工业逆变器和UPS。

特性

• 高速，低开关损耗

• 快速软恢复反并联二极管

• 正V(CE(sat))温度系数

• 快速软恢复反并联二极管

• 符合JEDEC标准，符合UL94V0可燃性要求

• 平滑的开关行为避免电压超调，降低系统电磁干扰

• 无卤素包装和无铅处理

• 通过无铅认证

• 低的热阻

• 低电压(CE(sat))和低开关损耗

• 沟栅场阻挡技术

规范

• -55°C至150°C工作结温度范围

• 集电极-发射极电压(CE)

• 50A直流集电极电流I(C)

应用程序

• 功率因数校正

• 焊接转换器

• 太阳能逆变器

• 工业逆变器

• 联合包裹

机械制图