ROHM Semiconductor RGTVX2TS65场停止沟槽IGBT是一种2µs SCSOA(短路安全工作区)保证绝缘栅双极晶体管，适用于PFC，太阳能逆变器，UPS，焊接和IH应用。设计了高效的RGTVX2TS65，优化了导通损耗与切换速度之间的平衡关系。该设备具有平滑的开关特性，降低电压超调，减少所需的部件数量和设计负载。

ROHM半导体RGTVX2TS65场停止沟槽IGBT提供TO-247N封装。

特性

• 2μs耐短路时间

• 1200V集电极-发射极电压(V(CES))

• 60A集电极电流(I(C))

• ±30V栅极-发射极电压(V(GES))

• 1.9V集极饱和电压(V(CE(sat))

• 7V栅极-发射极阈值电压(V(GE(th))

• 319W功耗(P(D))

• -40°C至+175°C工作结温度范围

• - 247 n包

• 无铅，符合RoHS

应用程序

• 太阳能逆变器

• 联合包裹

• 焊接

• IH

• PFC

引脚图