ROHM Semiconductor RGSx0TSX2x场阻沟槽igbt是10µs SCSOA (Short - Circuit Safety Operating Area)保证绝缘栅双极晶体管，适用于一般逆变器，UPS，光伏逆变器和功率调节器应用。RGSx0TSX2x igbt具有低导通损耗，有助于减小尺寸和提高效率。这些器件采用了原始的槽栅和薄晶片技术。这些技术有助于实现低集电极-发射极饱和电压(V(CE(sat))和降低开关损耗。这些igbt在各种高压和大电流应用中提供了更多的节能。

ROHM半导体RGSx0TSX2x场停止沟槽igbt提供TO-247N封装。RGS80TSX2D, RGS30TSX2D和RGS50TSX2D也具有集成的快速恢复二极管(FRD)。

特性

• 10μs耐短路时间

• 内置FRD快速和软恢复二极管(RGS80TSX2D, RGS30TSX2D, RGS50TSX2D)

• 1200V集电极-发射极电压(V(CES))

• ±30V栅极-发射极电压(V(GES))

• 1.7V集极饱和电压(V(CE(sat))

• 7V栅极-发射极阈值电压(V(GE(th))

• -40°C至+175°C工作结温度范围

• - 247 n包

• 无铅，符合RoHS

应用程序

• 通用逆变器

• 联合包裹

• 光伏逆变器

• 权力护发素

引脚图