ROHM Semiconductor RGS30TSX2DHR和RGS30TSX2HR AEC-Q101场止动沟槽igbt是10µs SCSOA (Short - Circuit Safety Operating Area)保证绝缘栅双极晶体管，适用于汽车和工业应用中的通用逆变器。RGS30TSX2DHR和RGS30TSX2HR提供低传导损耗，有助于减小尺寸和提高效率。这些器件采用了原始的槽栅和薄晶片技术。这些技术有助于实现低集电极-发射极饱和电压(V(CE(sat))和降低开关损耗。这些igbt在各种高压和大电流应用中提供了更多的节能。

Thye ROHM Semiconductor RGS30TSX2DHR &RGS30TSX2HR igbt采用TO-247N封装，符合AEC-Q101标准，可用于汽车应用。RGS30TSX2DHR还具有集成的快速恢复二极管(FRD)。

特性

• AEC-Q101合格

• 10μs耐短路时间

• 内置FRD快速软恢复二极管(仅RGS30TSX2DHR)

• 1200V集电极-发射极电压(V(CES))

• ±30V栅极-发射极电压(V(GES))

• 1.7V集极饱和电压(V(CE(sat))

• 15A集电极电流(I(C))

• 7V栅极-发射极阈值电压(V(GE(th))

• 267W功耗(P(D))

• -40°C至+175°C工作结温度范围

• - 247 n包

• 无铅，符合RoHS

应用程序

• 汽车和工业用通用变频器

引脚图