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摘要： 具有较低的集电极-发射极饱和电压，适用于一般逆变器和焊接应用。
ROHM Semiconductor RGT20NL65场停止沟槽IGBT具有低集电极-发射极饱和电压，适用于一般逆变器，UPS，电源调节器和焊接应用。ROHM RGT20NL65场停止沟槽IGBT提供了5μs的短路耐受时间。此外，该器件指定为±30V栅极-发射极电压和20A @ 25°C集电极电流。
集电极-发射极饱和电压低
低开关损耗
耐短路时间5µs
Pb-free镀铅
通过无铅认证
通用逆变器
联合包裹
功率调节器
焊机
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