Avalanche Technology并行持久SRAM存储器是磁阻随机存取存储器(MRAM)，其密度范围从1Mbit到32Mbit。P-SRAM的工作电压范围从2.7V到3.6V。P-SRAM内存设备有54针TSOP, 44针TSOP和48球FBGA封装。这些包装与类似的低功耗挥发性和非挥发性产品兼容。并行持久SRAM存储设备提供-40°C至85°C的工业和-40°C至105°C的工业加工作温度范围。

MRAM技术类似于Flash技术与SRAM兼容读/写计时(持久化SRAM/P-SRAM)。这个MRAM是一个真正的随机访问内存，它允许读写在内存中随机发生。MRAM对于那些必须存储和检索数据而又不会导致大延迟的应用程序来说是理想的。该技术提供了低延迟、低功耗、几乎无限的持久性和数据保留、高性能和可伸缩的存储技术。

特性

• 接口:

• 并行异步乘16

• 技术:

• 几乎无限的耐力和数据保留

• 40 nm pMTJ STT-MRAM:

• 密度:
  

• 1Mbit, 4Mbit, 8Mbit, 16Mbit, 32Mbit

• 工作电压范围:
  

• VCC: 2.7V到3.6V

• 工作温度范围:
  

• 工业:-40°C至85°C

• 工业+:-40°C至105°C

• 包:
  

• 44针TSOP (10mm x 18mm)

• 54引脚TSOP (10mm x 22mm)

• 48球FBGA (10mm × 10mm)

• 内存数组组织:
  

• 1Mbit: 65,536 × 16

• 4Mbit: 262144 × 16

• 8Mbit: 524,288 × 16

• 16Mbit / s: 1048,576 × 16

• 32Mbit / s: 2097152 × 16

• 通过无铅认证

框图