Avalanche Technology系列持久SRAM存储器设备是磁阻随机存取存储器(MRAM)，其密度范围从1Mbit到16Mbit。高性能串行持久SRAM存储设备支持单(108MHz)和双(54MHz)数据速率模式的SPI (serial Peripheral Interface)。这些P-SRAM存储设备的工作电压范围为1.71V至2V和2.7V至3.6V。P-SRAM存储设备可在小足迹8-pad WSON, 8-pin SOIC，和24球FBGA封装。这些包装与类似的低功耗挥发性和非挥发性产品兼容。系列持久SRAM存储设备提供-40°C至85°C的工业和-40°C至105°C的工业加工作温度范围。

MRAM技术类似于Flash技术与SRAM兼容读/写计时(持久化SRAM/P-SRAM)。这个MRAM是一个真正的随机访问内存，它允许读写在内存中随机发生。MRAM对于那些必须存储和检索数据而又不会导致大延迟的应用程序来说是理想的。该技术提供了低延迟、低功耗、几乎无限的持久性和保留，以及可扩展的非易失性存储技术。

特性

• 接口:

• 108MHz单数据速率模式

• 54MHz双数据速率模式

• 串行外围接口QSPI (4-4-4):

• 技术:

• 几乎无限的耐力和数据保留

• 40 nm pMTJ STT-MRAM:

• 密度:

• 1Mbit, 4Mbit, 8Mbit, 16Mbit

• 工作电压范围:

• VCC: 1.71V到2V

• VCC: 2.7V到3.6V

• 工作温度范围:

• 工业:-40°C至85°C

• 工业+:-40°C至105°C

• 包:

• 8-pad WSON (5mm x 6mm)

• 8脚SOIC (5.2mm x 5.2mm)

• 24球FBGA(6毫米x 8毫米)

• 数据保护:

• 地址范围可通过配置位选择

• 写保护针(WP#)

• 基于硬件:

• 软件:

• 标识:

• 64位的惟一ID

• 64位用户可编程序列号

• 增强存储阵列:

• 256字节用户可编程写保护

• 支持电平复位

• 通过无铅认证

框图