东芝TOLL封装中的高压DTMOSVI mosfet具有低漏源导通电阻(Rdson)和低电容的高速开关特性。这使得它们成为开关电源应用的理想选择。这款最新一代的DTMOSVI提供了最低价值RDS(ON)xQgd数字，并安装在新的TOLL包(9.9×11.68×2.3mm)与开尔文源连接，以减少开关损耗。

特性

• 减少输出电容

• 应用最新工艺技术单外延工艺

• 广泛的通阻和包装选项

• DTMOS VI提供的最低成绩(R(DS(ON)) x QGD)

• 改进的R(DS(ON)) vs面积权衡

• 较高温度下稳定的通断电阻

• DTMOS VI用于最高效率的电源开关

• 降低供热系统成本

• 减少现场故障的成本

• 降低无源元件成本

• 易于设计，以更快的时间上市和产品推出

• 准备以具有竞争力的价格支持高量市场

• 允许更高的功率密度

应用程序

• 数据中心、pv -逆变器、UPS

• 开关电源

• 照明

• 功率因数控制

• 工业应用

概述

比较有价值的数字