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摘要： onsemi的30v至60v Trench6 n通道MOSFET先进PowerTrench 工艺采用了屏蔽栅技术
onsemi n通道T6 60 V MV MOSFET采用onsemi公司先进的PowerTrench工艺，采用屏蔽栅技术生产。这一过程经过优化，以最小化通态电阻，同时保持优越的开关性能与一个优秀的软体二极管。
特性和好处
紧凑包装(5毫米x6毫米)
超低R (DS(上))
其中最好的R(DS(ON))在40v和60v在市场上
增加功率密度
这些器件不含铅和卤素/BFR
良好的导热性
提高系统效率
通过无铅认证
应用程序
o形环
马达驱动
直流/直流转换器
电力负荷开关
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