ROHM Semiconductor的24 V p沟道mosfet利用ROHM的第5(th)代精细化工艺，实现了比传统产品更精细的栅极结构和更高的电流密度，从而在24 V输入-40 V / -60 V承受p沟道mosfet时，单位面积上的ON电阻较低。与传统产品相比，在- 40v电压下，这些产品的ON电阻降低了62%，在- 60v电压下降低了52%，有助于节能和小型化。该系列利用在可靠性方面积累的专业知识来优化设备结构，同时采用了一种设计，可以减轻电场最集中的栅槽角的电场集中。这使得ROHM可以在不牺牲ON电阻的情况下，在高温偏压下提高可靠性，避免元件特性退化，这通常是一种矛盾的关系，有助于要求卓越质量的工业设备的长期稳定运行。

应用程序

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