IXYS的功率MOSEFTs是Littelfuse技术的一种，采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发的，使这些器件具有超低通态电阻、低栅电荷和卓越的dv/dt性能。它们的雪崩能力增强了设备的坚固性。使用快速软恢复体二极管，超结mosfet有助于降低开关损耗和电磁干扰(EMI)。

资源

• 调光器和GFCI USB插座

• 工业电机驱动和软起动器

• 电源解决方案(10w ~ 1kw +)聚光灯

• 智能LED照明

• 无线充电器的解决方案

特性

• 超低通电阻R(DS(ON))和栅电荷Q(G)

• 快速软恢复体二极管

• dv / dt强度

• 雪崩额定

• 低包电感

• 国际标准包装

应用程序

• 工业开关模式和谐振模式电源

• 电动汽车电池充电器

• 交流和直流电机驱动

• 直流/直流转换器

• 可再生能源逆变器

• 功率因数校正(PFC)电路

• 机器人技术和伺服控制