安森美onsemi  NTHL015N065SC1碳化硅 (SiC) MOSFET是一款12mohm、650V MOSFET，采用TO-247-3L封装。该碳化硅MOSFET的设计快速而坚固耐用。该器件具有10倍介电击穿场强度和2倍电子饱和速度。这些MOSFET还具有3倍能量带间隙和3倍导热性。所有安森美碳化硅MOSFET包括符合AEC-Q101标准并具有PPAP功能的选项，专门设计用于汽车应用并符合其相关要求。

NTHL015N065SC1 特性

典型值 RDS(on) = 12m（VGS = 18V时）

典型值 RDS(on) = 15m（VGS = 15V时）

超低栅极电荷 (QG(tot) = 283nC)

高速开关，低电容 (Coss = 430pF)

100%经雪崩测试

该器件不含卤素，符合RoHS指令（7a豁免），无铅2LI（二级互连）

NTHL015N065SC1 应用

开关模式电源 (SMPS)

太阳能逆变器

不间断电源 (UPS)

储能